一种耐高倍过载小型硅压阻压力传感器及其制作方法

本发明涉及硅基MEMS传感器技术领域，具体的说是一种耐高倍过载小型硅压阻压力传感器及其制作方法。传感器设有金属弹性膜片随压力挠变牵引金属波纹膜片挠变的主从挠变机构，当过载压力超过设定上限时，金属波纹膜片与金属波纹基板间不可压缩液体被导流净。无不可压缩液体传递被测压力，拒止超限的过载压力作用到敏感芯片上，避免因敏感芯片屈服或破裂而导致传感器不可逆地失效。在无须牺牲压阻效应灵敏度和不增加径向尺寸下，使硅压阻压力敏感芯片的本征压力过载能力呈数量级地提升，甚至微压或低压传感器的本征压力过载能力可以呈百倍及以上地提升，特别适用被测压力量程上限易发生阶跃突变或高宽量程范围的低、微压力的长期可靠测量。