一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法

一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法，步骤包括：在基片上进行掺氯氧化，生长二氧化硅作为初始屏蔽层；在硅片正面进行硼扩散，以形成具有硼结的P+A区；对硅片正面和背面进行表面吸杂，以在硅片双面形成磷硅玻璃层；在硅片正面蒸铝，并保留硼扩散区上的铝层；再在硅片正面进行快速退火，以在硅片正面中的扩散区中形成P+B区；再在硅片正面和背面进行真空蒸镀获得金属层；再通过光刻法去除正面屏蔽氧化层上的金属层，获得具有低压低漏电的稳压二极管。本申请可获得具有低反向击穿电压的二极管芯片，提高产品电流密度，不仅有效降低漏电流问题，尤其是高温下的漏电流，提高产品可靠性；而且还可提高其PN结的结面积，降低曲率，提高成品质量。