MOSFET功率半导体模块、电机控制器及汽车

本发明涉及一种MOSFET功率半导体模块、电机控制器及汽车，包括基板、多个功率电极端子、多个信号端子、上桥芯片组、下桥芯片组、信号连接件、互联垫高层和互联基板；基板上设有信号铜层区域、芯片组区域、基板功率铜层区域；多个功率电极端子包括直流负极功率电极端子、直流正极功率电极端子及输出功率电极端子；各信号端子分别通过对应的信号连接件与上桥芯片组和下桥芯片组中的硅基IGBT功率芯片上的驱动区域进行连接，以形成驱动路径；直流正极功率电极端子分别通过基板上的功率铜层、芯片组、互联垫高层及互联基板与直流负极功率电极端子相连接，以形成功率路径。本发明解决了电磁干扰大和动静态均流不一致的问题。