半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统

本发明提供一种半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统，涉及晶圆探测技术领域，包括向晶圆表面发射双频激光形成可控重叠区域，采集拍频信号获取初始高度信息；对拍频信号进行自适应滤波处理，重建晶圆表面三维轮廓，生成初始缺陷分布图；根据初始缺陷分布图确定二次检测区域进行正交扫描，识别并剔除伪缺陷信号，提取缺陷特征，确定缺陷成因类型。本发明提高了晶圆缺陷检测的准确性和效率，有助于提升半导体制造质量。