一种多芯片堆叠封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种多芯片堆叠封装结构及封装方法。包括重布线层，所述的重布线层表面设有干膜，干膜另一侧表面贴装芯片，干膜内设有曝光孔，曝光孔内设有电镀的SnAg，电镀的SnAg与重布线层金属层、芯片焊盘形成电连接。同现有技术相比，通过干膜材料，形成芯片FC时的黏附层，避免了Underfill材料的使用。通过SnAg回流，实现重布线层中金属层与芯片焊盘的互联，避免FC上下两方都要形成Bump，减少封装体的高度，简化工艺流程，降低封装体翘曲。