一种碲镉汞少子寿命测试处理方法

本发明公开了一种碲镉汞少子寿命测试处理方法，涉及芯片测试技术领域，该方法具体包括以下步骤：S1：预处理：第一次清洗，去除待测芯片表面存在的杂质和脏污，其中，待测芯片的材料为以碲锌镉为基底通过液相垂直外延在其上外延一层碲镉汞膜。本发明提供的一种碲镉汞少子寿命测试处理方法，其通过清洗、化抛和钝化等工艺对待测芯片进行处理，使得待测芯片上的碲镉汞膜的膜厚为9μm，进而实现对芯片上的碲镉汞少子寿命进行检测处理提高了少子寿命检测的准确性。