一种基于CCD的全熔控制方法及系统

本发明属于CCD图像处理技术领域，具体的说是一种基于CCD的全熔控制方法及系统，以下步骤：S101：获取CCD采集单晶炉内熔料待检测的图像；S102：基于图像分割模型针对S101获取到的图像进行检测，分割出目标区域；S103：基于获取到的各个硅料种类的像素结果，计算出炉内固液比例；S104：基于计算得出的块状硅料面积，结合功率和温度变化估算出块状硅料在炉内的体积；S105：通过获取到的熔化体积变化率和时间变化率，计算调整加热器功率需要变化的幅值；通过实时采集数据，根据实际固液百分比动态调整工艺参数，灵活应对各种变量；通过精确调控加热功率和加热时间，大幅降低能耗，提高设备使用寿命，减少维护成本。