一种基于损耗计算的半导体功率模组优化方法及系统

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一种基于损耗计算的半导体功率模组优化方法及系统
申请号:CN202510158668
申请日期:2025-02-13
公开号:CN119623213B
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于损耗计算的半导体功率模组优化方法,方法包括采用有限元分析法对半导体功率模组的材料特性数据进行损耗模拟得到功率损耗数据的损耗曲线,使用粒子群优化算法对半导体功率模组的设计参数进行优化,构建半导体功率模组三维模型并进行网格划分,进行多物理场耦合仿真分析,根据分析结果和映射关系表评估半导体功率模组三维模型在不同工作温度下的抗损耗性能,以训练完成的半导体功率模组三维模型对半导体功率模组进行优化改进。本发明模拟不同工作环境下功率模组的损耗数据变化,利用半导体功率模组各内参之间的关系采用粒子优化算法对功率模组进行设计参数的优化,提高了半导体功率模组在不同工作环境下的可靠性和稳定性。
技术关键词
功率模组 半导体 材料特性数据 三维模型 粒子群优化算法 损耗 多物理场耦合仿真分析 映射关系表 网格 载流子浓度数据 有限元分析法 应力 界面粗糙度 参数 图谱 数值 热点 光电子能谱仪 密度
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