耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片

本发明提供一种耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片，其通过在半绝缘多晶硅膜上再生长厚度至少为6000埃米的氮化硅膜，成功突破了传统制备方法的耐压瓶颈，使芯片的耐压能力跃升至3000V及以上，氮化硅膜能够有效抑制漏电现象，显著提高了芯片的稳定性和可靠性，减少了因漏电导致的功率损耗和性能下降问题，延长了芯片的使用寿命，降低了电子设备的运行成本。