一种高定向发射Micro-LED芯片及其制备方法和显示器件

本发明公开了一种高定向发射Micro‑LED芯片及其制备方法和显示器件，Micro‑LED芯片由下至上依次包括导电的第二衬底、复合金属层、透明导电层、外延层和复合增强层；复合增强层包括低折射率介质层、金属纳米柱阵列和荧光粉层，金属纳米柱阵列设置于低折射率介质层上端，荧光粉层覆盖低折射率介质层和金属纳米柱阵列。本发明通过在芯片的外延层上设置复合增强层，增强发射光在荧光粉内导波模式强度，提升荧光粉光致发光效率，从而显著增加了芯片的正向发射强度。同时，基于本发明的高定向发射Micro‑LED芯片的显示面板，n型电极设置于相邻的芯片之间和驱动基板边缘处，可以有效抑制芯片发射光的横向传播，防止光串扰。