一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法

本发明涉及半导体激光器芯片的腔面镀膜技术领域，尤其涉及一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法，包括S001、对半导体激光器芯片解理成巴条，然后用专门夹具固定好转入到电子回旋共振镀膜设备中抽真空；S002、开启自动清洗镀膜程序，待真空抽至要求值时，电子回旋共振离子源自动对芯片的腔面进行等离子体预清洗处理；S003、镀完第一层保护膜Si层后，将激光器芯片夹具转入到电子束蒸发镀膜设备平台继续抽真空；本发明提供的半导体激光器芯片腔面镀膜方法，利用电子回旋技术对半导体激光器进行清洗，利用电子束蒸发镀膜设备蒸镀高增透膜和高反射率膜，整个镀膜过程中无需高温加热，可有效避免高温导致的激光器芯片电极退化，效率降低等问题。