一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示设备

本发明提供了一种Micro‑LED芯片及其制备方法、显示设备，涉及半导体技术领域。在进行激光辐照处理时，没有图案化介质层覆盖的区域下方的多量子阱层将会被激光改性，失去发光特性，而有图案化介质层覆盖的区域下方的多量子阱层发光特性则不受影响，以此实现Micro‑LED芯片的制备。换言之是采用激光辐照处理晶圆的方法直接定义Micro‑LED芯片，形成Micro‑LED芯片阵列，该技术方案避免了台面制造工艺中的ICP刻蚀损伤，且无需定义单Micro‑LED芯片尺寸，也无需侧壁钝化工艺，可有效降低成本，有望在未来终极显示、可见光通信和基于光学互连的存储器等多项应用中发挥关键性作用。