一种N型倒装AlGaInP层的粗化方法

本发明涉及一种N型倒装AlGaInP层的粗化方法，属于光电子技术领域。方法为，先通过高温退火使得AuBe层与薄GaAs层充分融合并渗透至N型AlGaInP层，再通过常温Au腐蚀液腐蚀掉AuBe/Au/NiGeAu膜以及薄GaAs层，高温Au腐蚀液腐蚀掉渗透在N型AlGaInP层的金属Be、Au，通过高温退火的温度控制金属Au、Be的融合和渗透以及高温腐蚀液控制腐蚀效果，避免了反极性AlGaInP四元LED芯片粗化效果不稳定的问题，增加了出光效率，提升了芯片的品质。而且，利用常规的Au腐蚀液进行N面欧姆接触图形制备和N型AlGaInP粗化，操作简便，且能得到更稳定的粗化表面，适合规模化生产。