一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片

本发明实施例提供了一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括N‑外延层，设于N+衬底的一侧；电流扩展层；P型基区，设于电流扩展层内；N+区，设于P型基区内；第一沟槽，设于电流扩展层的两侧侧壁；第二沟槽，设于电流扩展层内；第二沟槽的两侧侧壁与P型基区和N+区连接；栅极多晶硅，设于N+区的部分上表面、与N+区的部分上表面连接的P型基区的部分上表面和与P型基区的部分上表面连接的电流扩展层的部分上表面。在反向导通时，由于沟道二极管的导通压降远低于体二极管的导通压降，所以沟道二极管比寄生的体二极管先导通，因此，通过沟道二极管可以降低器件在反向续流时的导通压降，优化体二极管存在续流损耗较大的问题。