半导体器件及其制备方法

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。本申请的半导体器件的制备方法包括如下步骤：于的表面形成第一金属粘接层；于金刚石散热层的表面上形成第二金属粘接层；于第一金属粘接层和第二金属粘接层的表面上分别涂覆纳米银膏；将第一金属粘接层和第二金属粘接层设置于泡沫铜层的相对表面上，通过加热处理使纳米银膏和泡沫铜层形成化合物层，化合物层的材料包括Ag2Cu3。本申请的半导体器件的制备方法能够制备得到具有金刚石散热层的散热效果较好的半导体器件。同时，上述制备方法对金刚石的表面粗糙度的要求较低，无需对金刚石进行抛光，制备难度较低。