一种可自然散热的碳化硅MOSFET功率模块高速驱动电路

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一种可自然散热的碳化硅MOSFET功率模块高速驱动电路
申请号:CN202510184537
申请日期:2025-02-19
公开号:CN120049722A
公开日期:2025-05-27
类型:发明专利
摘要
一种可自然散热的碳化硅MOSFET功率模块高速驱动电路,包括ISO5852隔离式栅极驱动芯片,其输出端和驱动增强与均热单元的输入端相连接;本发明通过在隔离式栅极驱动芯片外接驱动增强与均热单元,即多级并联推挽晶体管放大电路,将初始放大后的驱动增强信号继续通过多级晶体管进行二次放大,利用多个限流、均流电阻进行均热设计来确保多个晶体管间的电流分配均衡,分担电路单个元器件电压压降积累,不仅关注驱动信号放大,提供更强的驱动能力,实现器件高速的导通和关断操作,而且不需要增加额外散热系统实现电路本身自然散热,限流电阻的串联降低驱动电路各元件的功耗,避免器件过热,同时限制提供给MOSFET栅极的最大电流,从而在自然散热条件下稳定工作。
技术关键词
NPN型 栅极驱动芯片 栅极驱动模块 功率模块 功率管 电阻 碳化硅 高压二极管 驱动信号 电路 推挽晶体管 输入端 逻辑模块 信号线 散热系统 输出端
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