免退火的氧化铪薄膜的铁电存储器件制造方法、铁电存储器、存储芯片和电子设备

本公开涉及一种免退火的氧化铪薄膜的铁电存储器件制造方法、铁电存储器、存储芯片和电子设备，所述方法包括：在衬底上沉积第一电极层；在所述第一电极层上沉积氧化铪基铁电薄膜层；在所述氧化铪基铁电薄膜层上沉积第二电极层，并对所述第二电极层进行刻蚀得到图案化的金属顶电极，其中，沉积所述第一电极层、所述氧化铪基铁电薄膜层及所述第二电极层的反应温度均小于或等于半导体后端工艺的最高温度。本公开实施例能够免去铁电存储器件制造中的退火工艺步骤，从而降低制备成本，保证铁电存储器件在低热预算的制备工艺下具有高剩余极化强度。