一种具有抗强磁能力的双极型晶体管

本申请公开了本申请提供一种具有抗强磁能力的新型双极型晶体管、控制芯片和晶体管制造方法，通过P型衬底、N型埋层，以及三个第一STI区、第二STI区、有源区和N型深阱；三个第一STI区域均并列设于N型埋层远离P型衬底的一侧；有源区和N型深阱与三个第一STI区间隔沿水平方向排列，且两个第一STI区分别位于所有源区和N型深阱的外围，有源区包括：依次层叠设置的集电极、基极，以及位于基极远离集电极一侧的第二STI区和发射极，第二STI区位于发射极和外围的第一STI区之间，发射极与基极的交界面形成BE结；有效提高了晶体管在不同频率的强磁场环境中的放大倍数稳定性和抗磁干扰能力。