一种反极性LED芯片及其制作方法

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。反极性LED芯片包括从下至上依次设置的图案化硅衬底、反射镜覆盖层、二氧化硅整平层、透明导电粘合胶层、窗口层、P型叠层、发光层和N型叠层；所述图案化硅衬底的上表面具有若干个圆台状凸起；所述反射镜覆盖层覆盖设置于所述图案化硅衬底具有圆台状凸起一侧的整个表面，所述二氧化硅整平层下表面设置有若干个通孔，所述通孔与所述反射镜凸面部相套合，所述反射镜凸面部的上端面与所述透明导电粘合胶层下表面直接接触并形成电连接。本申请提供的反极性LED芯片的制备方法，制作工序简单、制作成本低，反极性LED芯片性能可靠稳定。