半导体光电探测器铟柱互连结构及其制作方法

本发明公开了一种半导体光电探测器铟柱互连结构及其制作方法，铟柱互连结构包括设置在光电二极管芯片上的第一互连结构和设置在光电检测集成电路上的第二互连结构；所述第一互连结构包括介质层、第一UBM金属层和第一铟柱，所述介质层的中部设置有电极孔，所述第一UBM金属层围合形成铟柱定位槽，所述第一铟柱包括固定设置在铟柱定位槽中的固定部以及设置在固定部上的定位部，所述定位部的顶部设置有互连定位槽。本发明中，通过在第一铟柱的顶部形成互连定位槽，可以在光电二极管芯片和光电检测集成电路倒焊互连时形成承插式互连结构，利用这种结构可以限制光电二极管芯片与光电检测集成电路倒焊时的侧滑，降低了器件倒焊互连时的盲元率。