P型LDMOS、P型LDMOS运行方法和集成电路芯片

本申请涉及一种P型LDMOS、P型LDMOS运行方法和集成电路芯片，P型LDMOS包括衬底，设置于衬底上的第一埋层、设置于第一埋层上方的源极区、栅极区和漏极区，源极区和漏极区之间设有漂移区，P型LDMOS还包括：N体区，设置于漂移区内，N体区与漏极区连接；沟槽栅，沟槽栅的侧壁分别与N体区、漂移区和第一埋层接触，沟槽栅内填充有第二多晶硅；第一多晶硅，设置于漂移区的上表面，第一多晶硅与第二多晶硅连接。本申请的LDMOS具备高可靠性且面积成本低的特点。