MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构

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MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构
申请号:CN202510245471
申请日期:2025-02-28
公开号:CN120089605A
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明实施例公开了一种MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构,由于采用将散热下盖与散热上盖分别安装于芯片的两侧,并与芯片的两侧贴合,使得芯片产生的热量能够通过散热上盖和散热下盖传导至外部,以提高MOS管的散热效率、增强电器性能、强化机械可靠性以及体积小型化等。在散热时,散热下盖用于接触芯片或散热器,以将产生的热量传导至外部,达到散热的效果,同时,散热上盖与芯片的另一侧贴合,芯片上产生的热量能够通过散热上盖传导至外部,从而实现高效散热。本MOS管上下盖夹片粘合封装方法适用于功率MOSFET,相比于传统单一芯片封装,采用散热上盖与散热下盖夹片粘合封装的方式,其散热效率提升、电气性能增强、机械可靠性强化以及体积小型化。
技术关键词
封装方法 MOS管 散热上盖 封装结构 键合线 基板 强化机械 封装件 电镀 组合件 封装外壳 芯片封装 包裹 条带 栅极 散热器 模具 电气 功率
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