摘要
本发明提供了一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法,通过控制所述第一光刻胶的旋涂和软烘条件,无需灰度曝光技术也可实现光刻后的梯形剖面;由于所述第一光刻胶和所述第二光刻胶工艺兼容,因此一次曝光和显影可以同时实现图形的精确转移、支撑层或剥离层的形成,工艺操作简单,工艺条件宽松;利用本申请提供的掩模进行金属沉积,可以在保证空气桥桥墩与所述衬底的粘附性的同时,避免拱形支撑层被金属膜全方位覆盖导致无法剥离。
技术关键词
光刻掩模
微结构
空气桥结构
光刻胶工艺
层图案
桥墩
衬底
涂覆光刻胶
芯片
等离子体去胶
厚胶工艺
光刻胶厚度
曝光技术
金属沉积
剥离液
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