高功率处理能力的单刀双掷开关

本申请实施例提供了一种高功率处理能力的单刀双掷开关，属于射频芯片功放技术领域，包括：第一耦合线、第二耦合线、天线端、接收端、发射端、第一开关晶体管和第二开关晶体管；其中，第一耦合线的第一端与第一开关晶体管电连接，第一耦合线的第二端与天线端电连接，第一耦合线的第三端接地，第一耦合线的第四端与接收端电连接，第二耦合线的第一端与第二开关晶体管电连接，第二耦合线的第二端与天线端电连接，第二耦合线的第三端接地，第二耦合线的第四端与发射端电连接，当第一开关晶体管处于导通的状态下，第一耦合线与第一开关晶体管形成带通滤波网络结构，以使信号在天线端与接收端之间传输。本申请能够提高单刀双掷开关的功率处理能力。