一种940nm LED芯片及其制作方法

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种940nm LED芯片及其制作方法。940nm LED芯片包括从下至上依次设置的背面电极、GaAs衬底、N‑AlGaAs扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱有源层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs扩展层、GaAs欧姆接触层、ITO层和正面电极；所述GaAs欧姆接触层采用图案化结构，所述GaAs欧姆接触层包括GaAs空缺部和GaAs余留部，所述ITO层的下表面与所述GaAs欧姆接触层的结构相适配，使得ITO材料将所述GaAs空缺部填充，且所述GaAs余留部嵌入至所述ITO层中；所述GaAs余留部包括由内向外依次设置的GaAs中心岛、GaAs接触点阵和GaAs环形外围。通过该结构可以有效提高芯片的长期可靠性、稳定性和抗静电能力，并兼顾较高的发光效率。