一种液相法碳化硅晶体生长的热场结构及其温度调节方法

本发明公开了一种液相法碳化硅晶体生长的热场结构，包括发热筒和置于发热筒内部的坩埚，发热筒内壁设置有内螺纹，坩埚下部外壁设置有外螺纹，坩埚下部与发热筒内壁螺纹连接；坩埚顶部安装有与之可拆卸连接的坩埚盖，坩埚内置有籽晶杆，坩埚盖中部设置有通孔，籽晶杆的一端从坩埚盖中部的通孔向上延伸而出；发热筒外部包覆有保温毡，保温毡外部安装有对发热筒进行加热的感应线圈。其温度调节方法为：选择坩埚外壁距离发热筒内壁的距离d1、坩埚外壁螺纹的宽度d2、坩埚底部与发热筒底部的距离d3作为关键参数，通过优化d1、d2、d3来实现液相法碳化硅晶体生长的热场中温度的梯度调节。本发明能够提高晶体的生长质量、提高生长速度，减少了成本。