一种用于GaN芯片封装的微带-槽间隙波导转换装置

本发明涉及微波射频技术领域，具体公开了一种用于GaN芯片封装的微带‑槽间隙波导转换装置，包括槽间隙波导和介质基板，介质基板上设有微带线，槽间隙波导包括底板、顶板和多个销钉，顶板的侧壁上开设有开窗，微带线穿过开窗并形成嵌入段，嵌入段的内端部包括辐射贴片，辐射贴片上蚀刻有梯形凹槽，辐射贴片的正上方设有上电容柱，上电容柱紧贴顶板，底板上开设有位于介质基板下方的耦合腔，耦合腔包括楔形腔壁，耦合腔远离辐射贴片的端部外侧还设有位于底板上的下电容柱，微带线、辐射贴片、上电容柱和下电容柱的轴向中心面共面。本发明中的转换装置的相对带宽较宽，结构简单，具有阻带可调功能。