芯片扇出型封装结构及芯片制作方法

本公开涉及一种芯片扇出型封装结构及芯片制作方法，涉及半导体封装技术领域，包括：重组硅片，重组硅片包括挡片和芯片，芯片位于沿第一方向贯穿挡片的凹槽中；塑封层和重布线层，塑封层位于重组硅片沿第一方向的一侧，塑封层包括塑封料，沿第二方向，塑封料填充芯片与凹槽之间的间隙；沿第一方向，重布线层位于重组硅片的至少一侧；位于芯片有源面一侧的重布线层上还包括作为导电凸点的球栅阵列；如此，可无需精确控制刻蚀精度，也能保证芯片的平整度和一致性，降低生产难度和成本，减少芯片偏差和翘曲，提高生产稳定性。