利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构

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利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构
申请号:CN202421709211
申请日期:2024-07-18
公开号:CN223052148U
公开日期:2025-07-01
类型:实用新型专利
摘要
一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构,包括晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片,利用Hybrid Bonding技术将晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片集成在一起。(1)利用Hybrid Bonding键合技术进行键合,该技术能够实现更高密度触点连接(在1×1cm的芯片内,能够制作出超过一百万的触点)和更小接点间距连接(间距可以微缩到1微米以下)。(2)将CIS芯片与其他种类芯片集成,实现高性能、低功耗、小型化、异质工艺集成、低成本的系统集成电子产品的制备。(3)整个封装流程为晶圆级封装,封装效率高、成本低、产能大。
技术关键词
导电通孔结构 混合键合技术 导电结构 系统级封装 CIS芯片 键合结构 重布线层 粘贴保护膜 导电层 高透光 绝缘材料 环氧树脂 电子产品 触点 氧化硅 低功耗 高密度
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