晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法

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晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法
申请号:CN202411950841
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119725247A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
一种晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法,封装结构包括:再布线层,所述再布线层包括相对的上表面和下表面;若干芯片模组,所述若干芯片模组贴装在所述再布线层的上表面并与所述再布线层电联接;背面桥接芯片,所述背面桥接芯片贴装在所述再布线层的下表面并与所述再布线层电联接,所述背面桥接芯片用于将相邻的所述芯片模组之间进行互连;位于所述再布线层的上表面包覆所述芯片模组的第一塑封层,所述第一塑封层露出所述芯片模组的上表面。本申请提高了晶圆规模的系统级封装结构的带宽(band‑width)。本申请获得国家重点研发计划项目(项目编号:2023YFB4404300,课题编号:2023YFB4404305)的支持。
技术关键词
系统级封装结构 芯片模组 桥接结构 布线基底 电源供应模块 半导体芯片 规模 线路 通孔连接结构 晶圆 介电层 正面 衬底 玻璃 端子 凸块
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