功率半导体模块的封装结构

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功率半导体模块的封装结构
申请号:CN202510286298
申请日期:2025-03-11
公开号:CN120413569A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种功率半导体模块的封装结构,包括基板和整流电路;其中,整流电路设置于基板上,且整流电路包括第一相桥、第二相桥以及第三相桥;其中,第一相桥、第二相桥以及第三相桥中均包括四个位置器件,每个位置器件包括多个并联设置的半导体芯片。具体的,本申请提供的功率半导体模块的封装结构,设置每个位置器件包括多个并联设置的半导体芯片,从而能够提高封装结构的整流通流能力。
技术关键词
功率半导体模块 封装结构 半导体芯片 栅极 导电层 基板 电路 外壳 连线 阴极 阳极 碳化硅 端子 绝缘 拐角 电气 电阻 介质
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