一种芯片散热结构及其制备方法

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一种芯片散热结构及其制备方法
申请号:CN202510290987
申请日期:2025-03-12
公开号:CN120149300B
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种芯片散热结构及其制备方法,包括:设置在基板上的屏蔽罩,屏蔽罩由侧壁以及顶板组成,侧壁包围在芯片外侧,形成框状结构,侧壁的底部与基板连接,顶板封闭侧壁的开口,还包括扩散件,所述扩散件设置在所述顶板的顶面上。本发明可以应用于发明人所设计的多层芯片屏蔽结构上,屏蔽结构由内至外依次为抑制层、吸收层和反射层,因为反射层位于屏蔽罩的最外侧,并且反射层是采用高导电金属制成,所以其具有较大的加工空间。以图2为例,扩散件设置在屏蔽罩的顶板上,可以有效增加散热面积,进而提高散热效率,顶板和侧壁均采用多层屏蔽结构设计从而保证屏蔽效果。
技术关键词
芯片散热结构 导热件 磁性纳米流体 芯片屏蔽结构 顶板 屏蔽结构设计 高导电金属 循环设备 开口形状 开口面积 基板 限位件 通孔 尺寸
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