一种用于半导体化学机械研磨(CMP)的碎片风险主动防控系统

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一种用于半导体化学机械研磨(CMP)的碎片风险主动防控系统
申请号:CN202510291069
申请日期:2025-03-12
公开号:CN119871208A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种化学机械研磨(CMP)工艺中碎片风险的主动防控系统及方法,旨在解决现有化学机械研磨(CMP)工艺中因碎片被动响应机制导致的产能损失与良率下降问题。本发明的核心在于通过扭矩电流与摩擦噪音的复合监控系统,实现碎片风险的早期预测、精确定位与自动化处置,从而将碎片防控从“事后应急”升级为“事前阻断”。
技术关键词
纳米润滑剂 主动防控系统 动态应力场 量子点光纤 磁流变液 压力单元 传感器阵列 重构模块 智能压力 复合监控系统 纳米胶囊 异质结纳米片 反演算法 pH响应 量子隧穿效应 风险 强化学习算法 表面波 CMP工艺
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