高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括依次叠设的高阻层、复合阻挡层和外延层；高阻层为C掺杂的GaN层；复合阻挡层包括叠设的第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层为SiN层，第二阻挡层为单晶BN层；外延层包括依次层叠的沟道层、势垒层和盖帽层。本公开实施例能够提升高电子迁移率晶体管芯片的动态特性。