用于半导体微结构染色的试剂、染色方法及应用

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用于半导体微结构染色的试剂、染色方法及应用
申请号:CN202510305776
申请日期:2025-03-14
公开号:CN120160878A
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于半导体微结构染色的试剂、染色方法及应用,其中试剂,由酸性混合液和硫酸铜溶液混合得到,其中:酸性混合液为如下任一:第一酸液中氢氟酸、硝酸、醋酸的浓度比例为,以重量份数计:取40%浓度氢氟酸1‑2份,65%‑68%浓度硝酸1‑2份,99.5%浓度醋酸20‑40份;或第二酸液中氢氟酸、硝酸、醋酸的浓度比例为,以重量份数计:取40%浓度氢氟酸0.1‑0.2份,65%‑68%浓度硝酸0.1‑0.2份,99.5%浓度醋酸20‑40份;硫酸铜溶液:取5‑10gCuSO4·5H2O固体置于40‑50mL水中,加热至40~50度,硫酸铜完全溶解得到硫酸铜原液,取1‑2mL硫酸铜原液、5‑10mL去离子水混合均匀备用。本发明方案组成简单,成本低廉,实现了不同工艺类型芯片的快速高效染色,并有利于高质量识别芯片的掺杂微结构。
技术关键词
半导体微结构 氢氟酸 染色方法 酸液 醋酸 硝酸 混合液 MOS管结构 溶液 原液 识别芯片 去离子水 酒精 纯水 固体 加热
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