一种IGBT芯片层多物理场动态数值计算方法和系统

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一种IGBT芯片层多物理场动态数值计算方法和系统
申请号:CN202510318717
申请日期:2025-03-18
公开号:CN120256789A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种IGBT芯片层多物理场动态数值计算方法和系统,所述方法包括:建立IGBT芯片层多物理场演化过程的偏微分方程组;建立内嵌所述偏微分方程组的PINN数值计算模型,实现IGBT芯片层多物理场动态过程数值计算。本申请首先建立了IGBT内部多物理场耦合的偏微分方程组,并据此提出了一种基于ETM‑PINN的IGBT芯片层耦合物理场动态数值计算方法,能够实现解析物理模型对数据驱动算法的嵌入,规范算法的寻优求解过程,从而灵活应对各种数据模型配置情况下的精确数值计算。
技术关键词
IGBT芯片 数值计算方法 物理 动态 训练集 数据驱动算法 梯度下降算法 分析模块 算术平均值 导热 误差 恒压 参数 线性 终端
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