半导体芯片、半导体封装结构以及半导体封装结构的制备方法

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半导体芯片、半导体封装结构以及半导体封装结构的制备方法
申请号:CN202510323158
申请日期:2025-03-17
公开号:CN120199754A
公开日期:2025-06-24
类型:发明专利
摘要
本公开提供了半导体芯片、半导体封装结构以及半导体封装结构的制备方法,涉及半导体技术领域。该半导体芯片包括:包括中心区域和外围区域,还包括:衬底;第一结构,在位于中心区域的衬底的上方,第一结构包括多层金属图案和多层绝缘层,金属图案包括测试焊盘;第二结构,位于第一结构的上方,且还位于半导体芯片的外围区域内;正面焊盘层,位于第二结构的上方,正面焊盘层包括多个第一焊盘和多个第二焊盘;其中,第一焊盘位于中心区域内,第二焊盘位于外围区域内,第一结构的金属图案密度大于第二结构的金属图案密度。根据本公开实施例,能够提高半导体芯片的封装可靠性。
技术关键词
半导体芯片 半导体封装结构 多层金属图案 测试焊盘 衬底 对准标记 晶圆 正面 密度 间距 介质 尺寸 凹槽
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