一种仿TEM铜网型热、电学分析芯片及其制作方法

AITNT
正文
推荐专利
一种仿TEM铜网型热、电学分析芯片及其制作方法
申请号:CN202510338489
申请日期:2025-03-21
公开号:CN120404800A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种仿TEM铜网型热、电学分析芯片及其制作方法,芯片包括硅基板,沉积在硅基板上、下表面的绝缘介质层,硅基板形状和尺寸与TEM铜网匹配,硅基板和下表面绝缘介质层上贯穿设置有镂空区作为观察窗口,镂空区上方的上表面绝缘介质层的表面沉积电路模块,电路模块包括两组加热线圈、两组电学测量电极和测温电极,两组电学测量电极均呈梳状,上下设置于两组加热线圈之间,测温电极设置于其中一组电学测量电极最外侧,电路模块与外部测量电路连接。本发明芯片既适配TEM常规样品杆形貌表征,也适配专用样品杆,可对样品观察的同时同步进行加热和电学特性测量,有助于在TEM中原位研究材料的形核生长、结构演化和对应物性变化。
技术关键词
分析芯片 测温电极 加热线圈 电路模块 基板 介质 接触电极 深硅刻蚀工艺 沉积硅 绝缘 湿法刻蚀工艺 PVD工艺 专用样品 贯穿硅 金属电极 氢氧化钾 圆环状
系统为您推荐了相关专利信息
1
COB光源及LED灯
绝缘防护结构 金属基板 COB光源 LED芯片 轮廓边缘
2
一种高速半导体激光二极管驱动电路系统及驱动方法
半导体激光二极管 驱动电路系统 增益调节模块 电路模块 温度控制模块
3
半导体封装件及其制作方法、半导体器件及电子设备
半导体封装件 半导体芯片 软化剂 多层金属结构 半导体器件
4
一种具有高散热性能的板级封装方法及其产品
封装方法 铜板 高散热 芯片 封装单元
5
一种IC封装结构及封装方法
封装外壳 IC封装结构 封装方法 散热组件 内散热片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号