摘要
本发明公开了一种仿TEM铜网型热、电学分析芯片及其制作方法,芯片包括硅基板,沉积在硅基板上、下表面的绝缘介质层,硅基板形状和尺寸与TEM铜网匹配,硅基板和下表面绝缘介质层上贯穿设置有镂空区作为观察窗口,镂空区上方的上表面绝缘介质层的表面沉积电路模块,电路模块包括两组加热线圈、两组电学测量电极和测温电极,两组电学测量电极均呈梳状,上下设置于两组加热线圈之间,测温电极设置于其中一组电学测量电极最外侧,电路模块与外部测量电路连接。本发明芯片既适配TEM常规样品杆形貌表征,也适配专用样品杆,可对样品观察的同时同步进行加热和电学特性测量,有助于在TEM中原位研究材料的形核生长、结构演化和对应物性变化。
技术关键词
分析芯片
测温电极
加热线圈
电路模块
基板
介质
接触电极
深硅刻蚀工艺
沉积硅
绝缘
湿法刻蚀工艺
PVD工艺
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