考虑电离层电子含量垂直分布的三维结构反演方法及设备

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考虑电离层电子含量垂直分布的三维结构反演方法及设备
申请号:CN202510341100
申请日期:2025-03-21
公开号:CN120318413A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种考虑电离层电子含量垂直分布的三维结构反演方法及设备,采用球谐函数模型描述电离层电子含量的二维平面结构,计算电离层电子含量垂直分布比例,基于多层假设设置全球电离多层分布结构,建立全球电离层三维模型,实现反演电离层三维结构。本发明在缺少不同轨道高度实测数据的前提下,采用IRI模型计算电子含量垂直分布比例因子,使得GNSS实测数据电离层模型更接近理论模型;引入多层假设,不仅能够实现全球电离层三维结构反演,而且相比电离层电子密度模型能够简化建模复杂度。本发明能够更精确的描述电子含量的时空分布特征,特别是电子含量梯度变化较大的区域,提高全球电离层模型的精度。
技术关键词
三维结构 反演方法 二维平面结构 球谐函数 载波平滑伪距 非暂态计算机可读存储介质 三维模型 时空分布特征 处理器 薄层 计算机程序产品 延迟量 存储器 复杂度 电子设备 数据 因子 理论 轨道
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