一种半导体红外雪崩探测器及其制备方法

本发明提供了一种半导体红外雪崩探测器，包含衬底层、缓冲层、倍增层、吸收层和接触层。衬底层位于探测器的最底层。缓冲层位于衬底层上方。倍增层位于缓冲层上方。吸收层位于倍增层上方。接触层位于吸收层上方，处于探测器的最顶层。倍增层与缓冲层晶格匹配。吸收层内部是超晶格结构。本发明还包含方法。本发明半导体红外雪崩探测器，基于含锑和铋的化合物半导体倍增层和超晶格吸收层结构，可以有效地调控半导体红外雪崩探测器的载流子离化特性，实现低噪声的雪崩探测器，适合于中波红外和长波红外微弱信号探测。本发明的方法，采用常规分子束外延方法进行生长，结构和制备操作工艺简单，易于控制，可以方便推广到阵列型探测器焦平面芯片的制备。