一种碳化硅功率器件的背面金属返工工艺

本发明涉及碳化硅功率器件领域，公开了一种碳化硅功率器件的背面金属返工工艺，包括以下步骤：在碳化硅晶圆正面制备PI胶钝化层，只对完整芯片区域进行曝光，边缘不完整芯片区域不曝光，在晶圆边缘形成连续的PI胶环；在完成PI胶钝化层的晶圆正面粘贴UV膜，背面进行减薄处理，随后沿晶圆边切除超出晶圆的UV膜，清洗后在晶圆背面蒸镀Ni/Ti金属层；采用湿法腐蚀液去除晶圆背面的异常金属层，通过UV膜与PI胶环紧密贴合，能够阻挡腐蚀液渗入晶圆正面，保护晶圆正面结构；清洗晶圆背面；重新蒸镀背面金属层并去除UV膜。本发明提供的背面金属返工工艺，有效解决了现有技术中无法对背面金属层进行返工的问题，避免了整片晶圆报废。