晶圆缺陷检测方法、装置和设备

本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法、装置和设备，涉及半导体技术领域，所述晶圆缺陷检测方法，包括：对第一晶圆进行扫描，得到所述第一晶圆的缺陷分布图；对所述缺陷分布图进行分析，得到所述第一晶圆的缺陷特征信息，其中，所述缺陷特征信息包括以下至少一项：第一缺陷密度信息、第一团簇缺陷信息；根据所述缺陷特征信息和拦截指标，对所述第一晶圆进行拦截。本发明实施例提通过第一缺陷密度信息和/或第一团簇缺陷信息能够检测出晶圆的整体缺陷密度无法反应出的潜在异常，基于该第一缺陷密度信息和/或第一团簇缺陷信息与对应的拦截指标，能够对晶圆进行有效拦截。