具有石墨烯混合阳极的GaN整流芯片及其制备方法

本发明涉及二极管器件技术领域，具体公开了一种具有石墨烯混合阳极的GaN整流芯片及其制备方法，其中，整流芯片包括从下至上依次层叠设置的衬底、AlN缓冲层、GaN势垒层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层顶面设有分别位于两侧的阴极结构和混合阳极结构以及位于阴极结构和混合阳极结构之间的钝化层，AlGaN势垒层与GaN势垒层形成异质结；混合阳极结构包括第一金属层和石墨烯电极层；阴极结构包括与AlGaN势垒层欧姆接触的第二金属层；该整流芯片的石墨烯电极层利用石墨烯与GaN势垒层之间的功函数差，形成较低的肖特基势垒，从而降低器件的导通压降。