一种具有强初值鲁棒性的半导体物理模型分析方法及系统

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一种具有强初值鲁棒性的半导体物理模型分析方法及系统
申请号:CN202510400489
申请日期:2025-04-01
公开号:CN120277954A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种具有强初值鲁棒性的半导体物理模型分析方法及系统,该方法包括:采用六面体对半导体物理模型结构进行剖分,基于刨分网格,利用半导体掺杂浓度计算边界条件,通过边界条件划分区域并计算不同的初值;根据初值分布代入归一化后的电流连续性方程、电流密度方程、泊松方程,产生一组余数;通过引入在余数前加从1逐渐变为0的可变参数,稳定求解电流连续性方程、电流密度方程、泊松方程,得到特定电压偏置条件下半导体物理模型的稳态解。本发明旨在有效解决传统初值求解方法在强非线性半导体物理模型中收敛困难、易发散的问题。
技术关键词
半导体物理模型 泊松方程 半导体掺杂浓度 分析方法 鲁棒性 连续性 牛顿迭代法 计算机存储介质 肖特基 异质结 六面体 表面电荷密度 栅极 电流 参数 电压 稳态 电子 网格
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