一种基于通用IP的集成电路3D封装结构及其封装方法

发明公开了一种基于通用IP的集成电路3D封装结构及其封装方法，属于半导体技术领域，本发明通过热仿真，能够准确识别各层通用IP的热点区域，并结合仿真识别应力集中区域，进而调整硅通孔参数，做到优化热传导路径，有效降低局部温度，提高芯片的热可靠性的同时，缓解机械应力，避免因应力集中导致的芯片开裂或失效，提高封装的结构可靠性；还通过将硅通孔截面图与对应的硅通孔预期截面图进行比对，识别出异常深度点后，在异常深度点处调整对应硅通孔的刻蚀参数，以此步骤重复调整刻蚀参数直至异常深度点的数量为零，让刻蚀的硅通孔的孔径接近预期值，提高封装质量，保证成品性能。