一种集成晶圆封装结构及其封装方法

本发明公开了一种集成晶圆封装结构及其封装方法，通过在划片道制备沟槽和空腔，可极大避免管芯面积浪费，提升芯片集成度，第一钝化层包括位于第一管芯衬底一侧的第一压焊块上的第一子钝化层、位于第一压焊块之间并覆盖部分第一压焊块的第二子钝化层、位于第一管芯衬底另一侧并覆盖部分第一压焊块的第三子钝化层，第二钝化层包括位于第二压焊块之间并覆盖部分第二压焊块的第四子钝化层、位于第二管芯衬底两侧并覆盖部分第二压焊块的第五子钝化层，在沟槽侧壁形成第三钝化层和第四钝化层进行钝化层保护，防止可动电荷等污染物从侧壁侵入，提升器件可靠性，晶圆厚度可进一步减薄，根据需求调整划片道的沟槽深度和空腔尺寸大小，降低芯片成本。