一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法

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一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法
申请号:CN202510442855
申请日期:2025-04-09
公开号:CN120300067A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法。该方法包括以下步骤:制备形成有彼此隔离的多种硅波导体结构的硅光芯片;将逻辑芯片,存储芯片切割成芯粒;采用异质集成的方式将逻辑芯粒和存储芯粒集成在硅光芯片上形成一个芯片组;制备光纤接口,硅光芯片通过光电转换把电信号转换成光信号,使得逻辑芯粒和存储芯粒之间的通信由电通信转换成光通信,提高传输效率,降低热效应。
技术关键词
三维集成器件 硅光芯片 逻辑 光栅耦合器 Ge光电探测器 波导结构 光纤接口 存储芯片 光通信 调制器 光信号 异质 导体 接触孔 电信号 金属互连
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