一种气相沉积设备及半导体处理系统

本发明提供了一种气相沉积设备及半导体处理系统，属于气相沉积技术领域，为了解决多腔室设备中气体流通互相串扰的问题，本发明的技术方案主要包括分为上部和下部的腔室主体，主体下部的一侧设置有外传片口；位于腔室主体的内部的反应腔组，反应腔组通过外传片口执行基片的进出动作；反应腔组包含至少两个反应腔单元，相邻两个反应腔单元之间通过主体上部和主体下部上设置的腔壁隔离，且相邻两个反应腔单元之间的主体下部的腔壁上设置有内传片口；位于反应腔单元的内部的基座，基座可在主体上部的位置和主体下部的位置之间升降；以及与基座相对设置于所述主体上部的内部的气体喷淋头。本发明的气相沉积设备及半导体处理系统用于执行气相沉积工艺。