一种膜层低损伤的IC芯片石英基板镀膜工艺

本发明公开了一种膜层低损伤的IC芯片石英基板镀膜工艺，涉及石英基板镀膜技术领域，为了解决镀膜过程不严谨导致石英基板膜层受损的问题。本发明通过实时监控和即时调整镀膜过程，以及优化退火工艺，可以显著提高生产效率，减少镀膜过程中的浪费和损失，通过监测和分析这些数据，可以不断优化镀膜工艺，减少膜层对基板的损伤，从而提高IC芯片的性能和可靠性，通过定期的质量监测和评估，可以及时发现工艺中的不足和潜在问题，通过根据目标镀膜石英基板的膜层材料进行调整，可以确保镀膜过程与膜层材料的特性相匹配，从而得到最佳的镀膜效果，根据IC芯片石英基板的具体应用要求，可以通过调整镀膜环境参数来优化膜层的性能。