一种高密度多层导通结构及其制备方法

本发明公开了一种高密度多层导通结构及其制备方法，属于半导体功率产品封装设计领域。具体包括，基板，基板顶面金属层上压合若干金属层和/或基板底面金属层上压合若干金属层；相邻金属层之间通过若干铜凸块连接，相邻金属层之间的空隙处填充有绝缘材料。本发明具备较广泛的适用性，可用于高阶高密度互连板、埋嵌式芯片板等，其可以显著简化生产流程，通过提升互连结构参数一致性，为高频信号传输与高密度线路板的高可靠性封装需求提供创新解决方案。